RDD022N50TL

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RDD022N50TL概述

Trans MOSFET N-CH 500V 2A 3Pin2+Tab CPT T/R

表面贴装型 N 通道 500 V 2A(Tc) 20W(Tc) CPT3


得捷:
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 2A 3-Pin2+Tab CPT T/R


Chip1Stop:
NCH 500V 2A POWER MOSFET


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 2A 3-Pin2+Tab CPT T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 500V CPT


RDD022N50TL中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 20 W

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 168pF @25VVds

额定功率Max 20 W

下降时间 48 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RDD022N50TL
型号: RDD022N50TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 2A 3Pin2+Tab CPT T/R

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