RDD022N60TL概述
CPT N-CH 600V 2A
表面贴装型 N 通道 2A（Tc） 20W（Tc） CPT3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
贸泽:
MOSFET 10V DRIVE N-Ch MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin2+Tab CPT T/R
安富利:
N-CHANNEL MOSFET 600V, 2A, 10V GATE DRIVE
Chip1Stop:
NCH 600V 2A POWER MOSFET
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin2+Tab CPT T/R
儒卓力:
**N-CH 600V 2A 6,7Ohm SMD CPT3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 600V CPT
RDD022N60TL中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 5.2 Ω
极性 N-CH
耗散功率 51 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 2A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 175pF @25VVds
下降时间 53 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买RDD022N60TL