RDN050N20FU6参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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RDN050N20FU6概述

Mosfet n-Ch 200V 5A To-220fn

N-Channel 200V 5A Ta 30W Tc Through Hole TO-220FN

得捷:
MOSFET N-CH 200V 5A TO220FN

贸泽:
MOSFET PWR MOSFET TR DRIVE VLT-10V

RDN050N20FU6中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

耗散功率 30 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 200 V

输入电容Ciss 292pF @10VVds

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RDN050N20FU6

型号： RDN050N20FU6

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：Mosfet n-Ch 200V 5A To-220fn

替代型号RDN050N20FU6

型号/品牌

代替类型

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ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RDN050N20

罗姆半导体

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