RDN100N20FU6参数规格_中文资料_数据手册PDF

RDN100N20FU6概述

Mosfet n-Ch 200V 10A To-220fn

N-Channel 200V 10A Ta 35W Tc Through Hole TO-220FN

得捷:
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

RDN100N20FU6中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 35W Tc

漏源极电压Vds 200 V

输入电容Ciss 543pF @10VVds

额定功率Max 35 W

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RDN100N20FU6

型号： RDN100N20FU6

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：Mosfet n-Ch 200V 10A To-220fn