RSD150N06TL参数规格_中文资料_数据手册PDF

RSD150N06TL概述

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3Pin2+Tab CPT T/R

N-Channel 60V 15A Ta 20W Tc Surface Mount CPT3

得捷:
MOSFET N-CH 60V 15A CPT3

贸泽:
MOSFET N-Channel Mosfet 100V, 10A, 4V gate drive

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 3-Pin2+Tab CPT T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin2+Tab CPT T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 3-Pin2+Tab CPT T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 15A CPT3

RSD150N06TL中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 20 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 930pF @10VVds

额定功率Max 20 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RSD150N06TL

型号： RSD150N06TL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3Pin2+Tab CPT T/R