R5016ANX概述
10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
通孔 N 通道 16A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
得捷:
MOSFET N-CH 500V 16A TO220FM
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 16A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 16A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 16A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
Win Source:
10V Drive Nch MOSFET
R5016ANX中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 77 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 16A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买R5016ANX