R6020ANJTL参数规格_中文资料_数据手册PDF

R6020ANJTL概述

LPTS N-CH 600V 20A

表面贴装型 N 通道 600 V 20A（Ta） 100W（Tc） LPTS

得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS

贸泽:
MOSFET TRANS MOSFET NCH 600V 20A 3PIN

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin2+Tab LPTS T/R

R6020ANJTL中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 2040pF @25VVds

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买R6020ANJTL

型号： R6020ANJTL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：LPTS N-CH 600V 20A

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替代型号R6020ANJTL

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R6020ANJTL ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
FCA20N60S_F109 飞兆/仙童	功能相似	R6020ANJTL和FCA20N60S_F109的区别

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