RCX120N20

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RCX120N20概述

10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

N-Channel 200V 12A Tc 2.23W Ta, 40W Tc Through Hole TO-220FM


得捷:
MOSFET N-CH 200V 12A TO220FM


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 V, 12 A, 0.25 ohm, TO-220FM, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 12A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 12A TO220FM / N-Channel 200 V 12A Tc 2.23W Ta, 40W Tc Through Hole TO-220FM


RCX120N20中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.23 W

阈值电压 5.25 V

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 740pF @25VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.23W Ta, 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RCX120N20
型号: RCX120N20
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

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