RCX050N25参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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RCX050N25概述

10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

N-Channel 250V 5A Ta 30W Tc Through Hole TO-220FM

得捷:
MOSFET N-CH 250V 5A TO220FM

RCX050N25中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 30W Tc

漏源极电压Vds 250 V

输入电容Ciss 410pF @25VVds

额定功率Max 30 W

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RCX050N25

型号： RCX050N25

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET