RFD8P05

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RFD8P05中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -8.00 A

极性 P-CH

耗散功率 48 W

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 30 ns

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.8 mm

宽度 2.5 mm

高度 6.3 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买RFD8P05
型号: RFD8P05
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK
替代型号RFD8P05
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RFD8P05

Fairchild 飞兆/仙童

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