RFG60P05E

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RFG60P05E中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -60.0 A

极性 P-CH

耗散功率 215W Tc

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

输入电容Ciss 7200pF @25VVds

耗散功率Max 215W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买RFG60P05E
型号: RFG60P05E
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:60A , 50V , 0.030欧姆,额定ESD ,P沟道功率MOSFET 60A, 50V, 0.030 Ohm, ESD Rated, P-Channel Power MOSFET
替代型号RFG60P05E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RFG60P05E

Fairchild 飞兆/仙童

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