SOT-23 N-CH 60V 0.3A
N-Channel 60V 300mA Ta 200mW Ta Surface Mount SST3
得捷:
MOSFET N-CH 60V 300MA SST3
贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RK7002BMT116
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SST T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
额定电压DC 60.0 V
额定电流 300 mA
漏源极电阻 1.10 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
连续漏极电流Ids 300 mA
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 33pF @10VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.95 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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RK7002AT116 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RHK003N06T146 罗姆半导体 | 类似代替 | RK7002AT116和RHK003N06T146的区别 |
2N7002CK,215 恩智浦 | 功能相似 | RK7002AT116和2N7002CK,215的区别 |