10V驱动N沟道MOSFET硅N沟道MOSFET低导通电阻。开关速度快。宽安全工作区（SOA）低电压驱动。轻松驱动电路设计。易于并联使用
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 8A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.15Ω/Ohm @4A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 20W Description & Applications| 10V Drive Nch MOSFET Silicon N-channel MOSFET Features Low on-resistance. Fast switching speed. Wide SOA safe operating area. Low-voltage drive. Easily designed drive circuits. Easy to use in parallel. 描述与应用| 10V驱动N沟道MOSFET 硅N沟道MOSFET 低导通电阻。 开关速度快。 宽安全工作区（SOA） 低电压驱动。 轻松驱动电路设计。 易于并联使用
额定电压DC 60.0 V
额定电流 8.00 A
通道数 1
漏源极电阻 150 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 20 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 520pF @10VVds
额定功率Max 20 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RK3055ETL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RK3055E 罗姆半导体 | 功能相似 | RK3055ETL和RK3055E的区别 |