RDN080N25FU6参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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RDN080N25FU6概述

MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

N-Channel 250V 8A Ta 35W Tc Through Hole TO-220FN

得捷:
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

贸泽:
MOSFET Discrete Semiconductor Products

RDN080N25FU6中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 380 mΩ

耗散功率 35 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

输入电容Ciss 543pF @10VVds

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RDN080N25FU6

型号： RDN080N25FU6

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN