RJK1056DPB

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RJK1056DPB中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 11 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 65 W

漏源极电压Vds 100 V

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 65000 mW

封装参数

引脚数 5

封装 SC-100

外形尺寸

封装 SC-100

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

数据手册

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型号: RJK1056DPB
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:100V , 25A , 14米最大。硅N通道功率MOS FET电源开关 100V, 25A, 14m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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