RT0805DRE073K57L

RT0805DRE073K57L图片1
RT0805DRE073K57L图片2
RT0805DRE073K57L图片3
RT0805DRE073K57L图片4
RT0805DRE073K57L图片5
RT0805DRE073K57L图片6
RT0805DRE073K57L概述

3.57K_0.5%_0805_薄膜高精密

±0.5% 0.125W,1/8W 芯片 0805(2012 公制) - 薄膜


立创商城:
3.57kΩ ±0.5% 125mW


得捷:
RES SMD 3.57K OHM 0.5% 1/8W 0805


贸泽:
薄膜电阻器 - SMD 3.57K OHM .5% 50PPM


艾睿:
Res Thin Film 0805 3.57K Ohm 0.5% 0.125W1/8W ±50ppm/°C Pad SMD T/R


RT0805DRE073K57L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

容差 0.5 %

额定功率 0.125 W

产品系列 RT

电阻 3.57 kΩ

阻值偏差 ±0.5 %

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2.00 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.5 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±50 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Paper & reel

最小包装 5000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RT0805DRE073K57L
型号: RT0805DRE073K57L
制造商: Yageo 国巨
描述:3.57K_0.5%_0805_薄膜高精密
替代型号RT0805DRE073K57L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RT0805DRE073K57L

Yageo 国巨

当前型号

当前型号

9T08052A3571DBHFT

国巨

类似代替

RT0805DRE073K57L和9T08052A3571DBHFT的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司