RT1206DRE0718K2L

RT1206DRE0718K2L图片1
RT1206DRE0718K2L图片2
RT1206DRE0718K2L图片3
RT1206DRE0718K2L图片4
RT1206DRE0718K2L图片5
RT1206DRE0718K2L图片6
RT1206DRE0718K2L图片7
RT1206DRE0718K2L概述

18.2K_0.5%_1206_薄膜高精密

18.2 ±0.5% 0.25W,1/4W 芯片 1206(3216 公制) - 薄膜


得捷:
RES SMD 18.2K OHM 0.5% 1/4W 1206


立创商城:
18.2kΩ ±0.5% 250mW


RT1206DRE0718K2L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

容差 ±0.5 %

额定功率 0.25 W

产品系列 RT

电阻 18.2 kΩ

阻值偏差 ±0.5 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.20 mm

宽度 1.60 mm

高度 0.55 mm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃

温度系数 ±50 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Paper & reel

最小包装 5000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RT1206DRE0718K2L引脚图与封装图
RT1206DRE0718K2L引脚图
RT1206DRE0718K2L封装图
RT1206DRE0718K2L封装焊盘图
在线购买RT1206DRE0718K2L
型号: RT1206DRE0718K2L
制造商: Yageo 国巨
描述:18.2K_0.5%_1206_薄膜高精密
替代型号RT1206DRE0718K2L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RT1206DRE0718K2L

Yageo 国巨

当前型号

当前型号

RT1206BRD0718K2L

国巨

类似代替

RT1206DRE0718K2L和RT1206BRD0718K2L的区别

RT1206BRE0718K2L

国巨

类似代替

RT1206DRE0718K2L和RT1206BRE0718K2L的区别

RT1206CRE0718K2L

国巨

类似代替

RT1206DRE0718K2L和RT1206CRE0718K2L的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台