RFD12N06RLESM参数规格_中文资料_数据手册PDF

RFD12N06RLESM概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD12N06RLESM 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 60 V, 70 mohm, 10 V, 3 V

The is an UltraFET N-channel Power MOSFET with ultra-low ON-resistance.

.: Temperature compensated PSPICE®/SABER© electrical, SPICE/SABER© thermal impedance simulation models

RFD12N06RLESM中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 70 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 49 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 17.0 A

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

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型号： RFD12N06RLESM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD12N06RLESM 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 60 V, 70 mohm, 10 V, 3 V

替代型号RFD12N06RLESM