RJK1055DPB

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RJK1055DPB中文资料参数规格
技术参数

针脚数 5

漏源极电阻 13 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 23A

上升时间 4.2 ns

输入电容Ciss 2550pF @10VVds

下降时间 6.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60000 mW

封装参数

引脚数 5

封装 SC-100

外形尺寸

封装 SC-100

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: RJK1055DPB
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:RENESAS  RJK1055DPB  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 13 mohm, 10 V

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