RN1301,LF

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RN1301,LF概述

RN1301,LF 编带

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM


立创商城:
1个NPN-预偏置 100mA 50V


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased USM TRANSISTOR Pd 100mW F 250Mhz


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM


RN1301,LF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.1 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

RN1301,LF引脚图与封装图
RN1301,LF引脚图
RN1301,LF封装图
RN1301,LF封装焊盘图
在线购买RN1301,LF
型号: RN1301,LF
制造商: Toshiba 东芝
描述:RN1301,LF 编带

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