RSR010N10FHATL

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RSR010N10FHATL概述

ROHM  RSR010N10FHATL  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 1 A, 100 V, 0.37 ohm, 10 V, 2.5 V

* AEC-Q101合规


立创商城:
N沟道 100V 1A


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V ±1A 3-Pin TSMT T/R


Newark:
# ROHM  RSR010N10FHATL  MOSFET, N-CH, 100V, 1A, TSMT-3


RSR010N10FHATL中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.37 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 1A

上升时间 9 ns

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TSMT

外形尺寸

封装 TSMT

其他

产品生命周期 Active

制造应用 Automotive, 车用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买RSR010N10FHATL
型号: RSR010N10FHATL
描述:ROHM  RSR010N10FHATL  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 1 A, 100 V, 0.37 ohm, 10 V, 2.5 V

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