RG2012P-6653-B-T1参数规格_中文资料_数据手册PDF

RG2012P-6653-B-T1概述

RES SMD 665KΩ 0.1% 0.125W1/8W 0805

665 kOhms ±0.1% 0.125W，1/8W 芯片 0805（2012 公制）耐硫，汽车级 AEC-Q200 汽车认证薄膜

得捷:
RES SMD 665K OHM 0.1% 1/8W 0805

RG2012P-6653-B-T1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 150 V

容差 ±0.1 %

额定功率 0.125 W

产品系列 RG

电阻 665 kΩ

阻值偏差 ±0.1 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2.00 mm

宽度 1.25 mm

高度 400 µm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃

温度系数 ±25 ppm/℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape, Tape & Reel TR

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： RG2012P-6653-B-T1

描述：RES SMD 665KΩ 0.1% 0.125W1/8W 0805

替代型号RG2012P-6653-B-T1