Phototransistor IR Chip 800nm 4Pin DIP
光学传感器
得捷: IC PHOTOSENSOR REFL DIP
安富利: Phototransistor IR Chip 800nm 4-Pin DIP
峰值波长 800 nm
耗散功率 80 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
正向电流 30 mA
正向电流Max 50 mA
耗散功率Max 80 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 DIP
长度 6.4 mm
宽度 4.9 mm
高度 6.5 mm
工作温度 -25℃ ~ 85℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册