R1RW0408DGE-2PR#B0

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R1RW0408DGE-2PR#B0概述

SRAM,R1RW 系列,Renesas ElectronicsR1RW 系列是静态 RAM,最适用于需要高速、高密度存储器和宽比特宽度配置的应用,如系统中的缓存和缓冲存储器。单 3.3V 电源 存取时间:10ns/12ns 无需时钟或定时闪光灯 相等存取和循环时间 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM(静态随机存取存储器)

低功率 SRAM,R1RW 系列,

R1RW 系列是静态 RAM,最适用于需要高速、高密度存储器和宽比特宽度配置的应用,如系统中的缓存和缓冲存储器。

单 3.3V 电源

存取时间:10ns/12ns

无需时钟或定时闪光灯

相等存取和循环时间

所有输入和输出均兼容 TTL

### SRAM(静态随机存取存储器)


欧时:
### 低功率 SRAM,R1RW 系列,Renesas ElectronicsR1RW 系列是静态 RAM,最适用于需要高速、高密度存储器和宽比特宽度配置的应用,如系统中的缓存和缓冲存储器。单 3.3V 电源 存取时间:10ns/12ns 无需时钟或定时闪光灯 相等存取和循环时间 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM(静态随机存取存储器)


得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 512K x 8 12ns 36-Pin SOJ Tube


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 512K x 8 12ns 36-Pin SOJ Tube


Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 512K x 8 12ns 36-Pin SOJ Tube


R1RW0408DGE-2PR#B0中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 1 MHz

位数 8

存取时间Max 12 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3.0V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 36

封装 SOJ36

外形尺寸

长度 23.62 mm

宽度 10.29 mm

高度 3.05 mm

封装 SOJ36

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买R1RW0408DGE-2PR#B0
型号: R1RW0408DGE-2PR#B0
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:SRAM,R1RW 系列,Renesas Electronics R1RW 系列是静态 RAM,最适用于需要高速、高密度存储器和宽比特宽度配置的应用,如系统中的缓存和缓冲存储器。 单 3.3V 电源 存取时间:10ns/12ns 无需时钟或定时闪光灯 相等存取和循环时间 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM(静态随机存取存储器)

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