R1LV0816ABG-5SI#S0

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R1LV0816ABG-5SI#S0概述

R1LV0816A Series 8Mbit 512K x 16 3V 55ns Advanced SRAM - BGA-48

SRAM Memory IC 8Mb 512K x 16 Parallel 55ns 48-FBGA 7.5x8.5


得捷:
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 8M-bit 512K x 16 55ns 48-Pin TFBGA T/R


安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin TFBGA Embossed T/R


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin TFBGA T/R


儒卓力:
**SRAM 512Kx16 55ns FBGA48 **


R1LV0816ABG-5SI#S0中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 55 ns

存取时间Max 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 48

封装 TFBGA-48

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 TFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

R1LV0816ABG-5SI#S0引脚图与封装图
R1LV0816ABG-5SI#S0引脚图
R1LV0816ABG-5SI#S0封装图
R1LV0816ABG-5SI#S0封装焊盘图
在线购买R1LV0816ABG-5SI#S0
型号: R1LV0816ABG-5SI#S0
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:R1LV0816A Series 8Mbit 512K x 16 3V 55ns Advanced SRAM - BGA-48

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