RPT-37PB3F概述
800 nm +/- 36° 灵敏度 32 Vce 30 mA 光电晶体管 顶视图 类型
800 nm +/- 36° Sensitivity 32 Vce 30 mA Phototransistor Top View Type
得捷:
PLANAR PHOTOTRANSISSTOR, TOP VIE
艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 800nm 2-Pin T-1 Bulk
Chip1Stop:
Phototransistor Chip Silicon 800nm 2-Pin T-1 Bulk
Verical:
Phototransistor Chip Silicon 800nm 2-Pin T-1 Bulk
儒卓力:
**PHOTOTRANSISTOR TOP VIEW TYPE **
RPT-37PB3F中文资料参数规格
技术参数
额定电流 30 mA
额定功率 0.15 W
上升/下降时间 10 ns
供电电流 0.03 mA
波长 800 nm
视角 72°
峰值波长 800 nm
耗散功率 150 mW
上升时间 10000 ns
下降时间 10000 ns
下降时间Max 10000 ns
上升时间Max 10000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
耗散功率Max 150 mW
额定电压 5 V
电源电压 32 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
外形尺寸
高度 5.2 mm
封装 T-1
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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