R5019ANX概述
N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM
N 通道 MOSFET ，ROHM
欧时:
ROHM Si N沟道 MOSFET R5019ANX, 19 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FM封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 19A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 19A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
R5019ANX中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 115 ns
输入电容Ciss 2050pF @25VVds
下降时间 100 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
高度 15 mm
封装 TO-220
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买R5019ANX