RYU002N05T306

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RYU002N05T306中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.2 W

漏源极电压Vds 50 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 26pF @10VVds

下降时间 43 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RYU002N05T306
型号: RYU002N05T306
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3Pin UMT T/R

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