R1RW0416DGE-2PR#B0

低功率 SRAM，R1RW 系列，Renesas ElectronicsR1RW 系列是静态 RAM，最适用于需要高速、高密度存储器和宽比特宽度配置的应用，如系统中的缓存和缓冲存储器。单 3.3V 电源 存取时间：10ns/12ns 无需时钟或定时闪光灯 相等存取和循环时间 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM（静态随机存取存储器）

低功率 SRAM，R1RW 系列，

R1RW 系列是静态 RAM，最适用于需要高速、高密度存储器和宽比特宽度配置的应用，如系统中的缓存和缓冲存储器。

单 3.3V 电源

存取时间：10ns/12ns

无需时钟或定时闪光灯

相等存取和循环时间

所有输入和输出均兼容 TTL

### SRAM（静态随机存取存储器）

欧时:
Renesas Electronics R1RW0416DGE-2PR#B0, 4Mbit SRAM 内存, 256K x 16 位, 1MHz, 44针 SOJ封装

得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 12ns 44-Pin SOJ T/R

Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 12ns 44-Pin SOJ T/R