R1RW0416DSB-0PR#D0

R1RW0416DSB-0PR#D0图片1
R1RW0416DSB-0PR#D0图片2
R1RW0416DSB-0PR#D0图片3
R1RW0416DSB-0PR#D0概述

SRAM,R1RW 系列,Renesas ElectronicsR1RW 系列是静态 RAM,最适用于需要高速、高密度存储器和宽比特宽度配置的应用,如系统中的缓存和缓冲存储器。单 3.3V 电源 存取时间:10ns/12ns 无需时钟或定时闪光灯 相等存取和循环时间 所有输入和输出均兼容 TTL

低功率 SRAM,R1RW 系列,

R1RW 系列是静态 RAM,最适用于需要高速、高密度存储器和宽比特宽度配置的应用,如系统中的缓存和缓冲存储器。

单 3.3V 电源

存取时间:10ns/12ns

无需时钟或定时闪光灯

相等存取和循环时间

所有输入和输出均兼容 TTL


欧时:
### 低功率 SRAM,R1RW 系列,Renesas ElectronicsR1RW 系列是静态 RAM,最适用于需要高速、高密度存储器和宽比特宽度配置的应用,如系统中的缓存和缓冲存储器。单 3.3V 电源 存取时间:10ns/12ns 无需时钟或定时闪光灯 相等存取和循环时间 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM(静态随机存取存储器)


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray


Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray


R1RW0416DSB-0PR#D0中文资料参数规格
技术参数

供电电流 145 mA

时钟频率 1 MHz

位数 16

存取时间 10 ns

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP

外形尺寸

长度 18.51 mm

宽度 10.26 mm

高度 1 mm

封装 TSOP

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买R1RW0416DSB-0PR#D0
型号: R1RW0416DSB-0PR#D0
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:SRAM,R1RW 系列,Renesas Electronics R1RW 系列是静态 RAM,最适用于需要高速、高密度存储器和宽比特宽度配置的应用,如系统中的缓存和缓冲存储器。 单 3.3V 电源 存取时间:10ns/12ns 无需时钟或定时闪光灯 相等存取和循环时间 所有输入和输出均兼容 TTL

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司