R1RP0416DSB-2PR#D0

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R1RP0416DSB-2PR#D0概述

SRAM,R1RP 系列,Renesas ElectronicsR1RP 系列是静态 RAM,最适用于需要高速、高密度存储器和宽比特宽度配置的应用,如系统中的缓存和缓冲存储器。单 5.0V 电源 存取时间:10ns/12ns 无时钟、无需刷新 相等存取和循环时间 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM(静态随机存取存储器)

低功率 SRAM,R1RP 系列,

R1RP 系列是静态 RAM,最适用于需要高速、高密度存储器和宽比特宽度配置的应用,如系统中的缓存和缓冲存储器。

单 5.0V 电源

存取时间:10ns/12ns

无时钟、无需刷新

相等存取和循环时间

所有输入和输出均兼容 TTL


欧时:
### 低功率 SRAM,R1RP 系列,Renesas ElectronicsR1RP 系列是静态 RAM,最适用于需要高速、高密度存储器和宽比特宽度配置的应用,如系统中的缓存和缓冲存储器。单 5.0V 电源 存取时间:10ns/12ns 无时钟、无需刷新 相等存取和循环时间 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM(静态随机存取存储器)


安富利:
SRAM Chip Async Single 5V 4M-Bit 256K x 16 12ns 44-Pin TSOP-II Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 5V 4M-Bit 256K x 16 12ns 44-Pin TSOP-II Tray


Verical:
SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 12ns 44-Pin TSOP-II Tray


R1RP0416DSB-2PR#D0中文资料参数规格
技术参数

供电电流 160 mA

时钟频率 1 MHz

存取时间 12 ns

存取时间Max 12 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP

外形尺寸

长度 18.51 mm

宽度 10.26 mm

高度 1 mm

封装 TSOP

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买R1RP0416DSB-2PR#D0
型号: R1RP0416DSB-2PR#D0
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:SRAM,R1RP 系列,Renesas Electronics R1RP 系列是静态 RAM,最适用于需要高速、高密度存储器和宽比特宽度配置的应用,如系统中的缓存和缓冲存储器。 单 5.0V 电源 存取时间:10ns/12ns 无时钟、无需刷新 相等存取和循环时间 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM(静态随机存取存储器)

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