RJH60A81RDPD-A0#J2参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJH60A81RDPD-A0#J2概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3Pin TO-252A T/R

IGBT Trench 600V 10A 29.4W Surface Mount TO-252

得捷:
IGBT 600V 5A

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A T/R

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin TO-252A T/R

RJH60A81RDPD-A0#J2中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 100 ns

额定功率Max 29.4 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RJH60A81RDPD-A0#J2引脚图与封装图

在线购买RJH60A81RDPD-A0#J2

型号： RJH60A81RDPD-A0#J2

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3Pin TO-252A T/R