RPT-37PB3FN参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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RPT-37PB3FN概述

PHOTOTRANSISTOR 800NM 3MM

Phototransistors 800nm Top View T-1

得捷:
SENSOR PHOTO 800NM TOP VIEW T1

艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 800nm 2-Pin Bulk

RPT-37PB3FN中文资料参数规格

技术参数

波长 800 nm

视角 72°

峰值波长 800 nm

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 32 V

额定功率Max 150 mW

下降时间Max 10000 ns

上升时间Max 10000 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 T-1

外形尺寸

高度 5.2 mm

封装 T-1

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RPT-37PB3FN

型号： RPT-37PB3FN

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：PHOTOTRANSISTOR 800NM 3MM