RPT-38 系列 800 nm 32 V 30 mA 通孔 顶部视角 光电晶体管
800nm 顶视图 T-1
得捷:
SENSOR PHOTO 800NM TOP VIEW T1
贸泽:
光电晶体管 PHOTO Visible Ray Cut Colored Pkg
艾睿:
No Phototransistor Chip Silicon 800nm 2-Pin T-1 Bulk
Jameco:
Photo Transistor T1 Radial .125" Dia
安富利:
Phototransistor Chip Silicon 800nm 2-Pin T-1
Chip1Stop:
Phototransistor Chip Silicon 800nm 2-Pin T-1
Verical:
Phototransistor Chip Silicon 800nm 2-Pin T-1 Bulk
Win Source:
PHOTOTRANSISTOR 800NM 3MM
额定功率 0.15 W
波长 800 nm
视角 72°
峰值波长 800 nm
耗散功率 150 mW
上升时间 10000 ns
输出功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
额定功率Max 150 mW
下降时间 10 µs
下降时间Max 10000 ns
上升时间Max 10000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
长度 3.4 mm
宽度 3.4 mm
高度 5.2 mm
封装 T-1
材质 Silicon
工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99