RTR025N03FRATL

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RTR025N03FRATL中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.066 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 2.5A

上升时间 15 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TSMT

外形尺寸

封装 TSMT

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: RTR025N03FRATL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  RTR025N03FRATL  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.066 ohm, 4.5 V, 1.5 V 新
替代型号RTR025N03FRATL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RTR025N03FRATL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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RTF025N03FRATL

罗姆半导体

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