RHU003N03FRAT106概述
ROHM RHU003N03FRAT106 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 30 V, 0.8 ohm, 10 V, 2.5 V 新
表面贴装型 N 通道 30 V 300mA（Ta） 200mW UMT3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
贸泽:
ROHM Semiconductor
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.3A Automotive 3-Pin UMT T/R
安富利:
Trans MOSFET N 30V ±0.3A 3-Pin SOT-323 Emboss T/R
Newark:
# ROHM RHU003N03FRAT106 MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 30V, 0.3A, UMT-3
RHU003N03FRAT106中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 0.3A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 20pF @10VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
引脚数 3
封装 UMT-3
外形尺寸
封装 UMT-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead free
RHU003N03FRAT106引脚图与封装图 
在线购买RHU003N03FRAT106
型号： RHU003N03FRAT106
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：ROHM RHU003N03FRAT106 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 30 V, 0.8 ohm, 10 V, 2.5 V 新