RSQ025P03FRATR

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RSQ025P03FRATR中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.08 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.25 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 TSMT

外形尺寸

封装 TSMT

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: RSQ025P03FRATR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  RSQ025P03FRATR  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -30 V, 0.08 ohm, -10 V, -2.5 V 新
替代型号RSQ025P03FRATR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RSQ025P03FRATR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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罗姆半导体

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