RJP65T43DPM-00#T1概述
IGBT 分立，Renesas Electronics### IGBT（绝缘栅双极型晶体管）分立和模块绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IGBT 分立，
欧时:
Renesas Electronics RJP65T43DPM-00#T1 N沟道 IGBT, Vce=650 V, 40 A, 3+Tab引脚 TO-3PFM封装
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 68800mW 3-Pin3+Tab TO-3PFM Tube
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 68800mW 3-Pin3+Tab TO-3PFM Tube
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型号： RJP65T43DPM-00#T1
制造商：
Renesas Electronics
瑞萨电子
描述：IGBT 分立，Renesas Electronics ### IGBT（绝缘栅双极型晶体管）分立和模块 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。