RN2108 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 80 0.1W/100mW SOT-523/SC-75/SSM 标记YI 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 22KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 0.468 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 80 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.1W/100mW Description & Applications| Features • Transistor Silicon PNP Epitaxial Type PCT Process • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduced quantity of parts and manufacturing process • Complementary to RN1107~RN1109 Applications • Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 描述与应用| 特点 •的硅PNP外延型(PCT工艺) •内置偏置电阻 •简化电路设计 •减少数量的零件和制造工艺 •互补RN1107~~ RN1109 应用 •开关,逆变电路,接口电路和驱动器电路应用
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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RN2108 Toshiba 东芝 | 当前型号 | 当前型号 |
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