RN2108

RN2108图片1
RN2108概述

RN2108 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 80 0.1W/100mW SOT-523/SC-75/SSM 标记YI 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 22KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 0.468 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 80 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.1W/100mW Description & Applications| Features • Transistor Silicon PNP Epitaxial Type PCT Process • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduced quantity of parts and manufacturing process • Complementary to RN1107~RN1109 Applications • Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 描述与应用| 特点 •的硅PNP外延型(PCT工艺) •内置偏置电阻 •简化电路设计 •减少数量的零件和制造工艺 •互补RN1107~~ RN1109 应用 •开关,逆变电路,接口电路和驱动器电路应用

RN2108中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

封装 SSM

外形尺寸

封装 SSM

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN2108引脚图与封装图
RN2108引脚图
RN2108封装图
RN2108封装焊盘图
在线购买RN2108
型号: RN2108
制造商: Toshiba 东芝
描述:RN2108 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 80 0.1W/100mW SOT-523/SC-75/SSM 标记YI 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路
替代型号RN2108
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