RF6E045AJTCR概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 30 V, 0.0169 ohm, 4.5 V, 1.5 V
N-Channel 30V 4.5A Ta 1W Tc Surface Mount TUMT6
得捷:
MOSFET N-CHANNEL 30V 4.5A TUMT6
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RF6E045AJTCR
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MOSFET Nch 30V 4.5A Si MOSFET
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Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TUMT T/R
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Trans MOSFET N-CH 30V ±4.5A 6-Pin TUMT Embossed T/R
RF6E045AJTCR中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 16.9 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 500 mV
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 900pF @15VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
RF6E045AJTCR引脚图与封装图 
在线购买RF6E045AJTCR
型号： RF6E045AJTCR
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 30 V, 0.0169 ohm, 4.5 V, 1.5 V