RN1114MFV,L3F参数规格_中文资料_数据手册PDF

RN1114MFV,L3F概述

双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor

艾睿:
Silicon NPN Epitaxial Type PCT Process Bias Resistor built-in Transistor

RN1114MFV,L3F中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723-3

外形尺寸

封装 SOT-723-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

RN1114MFV,L3F引脚图与封装图

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型号： RN1114MFV,L3F

描述：双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor