RN1316,LF

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RN1316,LF概述

Trans Prebias Npn 0.1W1/10W Usm

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM


RN1316,LF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.1 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RN1316,LF
型号: RN1316,LF
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans Prebias Npn 0.1W1/10W Usm

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