RN2130MFV,L3F

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RN2130MFV,L3F概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor


艾睿:
Transistor Silicon PNP Epitaxial Type PCT Process


RN2130MFV,L3F中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723-3

外形尺寸

封装 SOT-723-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买RN2130MFV,L3F
型号: RN2130MFV,L3F
制造商: Toshiba 东芝
描述:Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor

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