RN2301

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RN2301概述

RN2301 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 30 0.1W/100mW SOT-323/SC-70 标记YA 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 4.7KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 30 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.1W/100mW Description & Applications| Features • Transistor Silicon PNP Epitaxial Type PCT Process • With built-in bias resistors • Simplify circuit design • Reduce a quantity of parts and manufacturing process • Complementary to RN1301to1306 Applications • Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 描述与应用| 特点 •PNP的硅外延型(PCT工艺) •内置偏置电阻 •简化电路设计 •减少了部件数量和制造工艺 •互补RN1301to1306的 应用 •开关,逆变电路,接口电路和驱动器电路应用

RN2301中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 100 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN2301引脚图与封装图
RN2301引脚图
RN2301封装图
RN2301封装焊盘图
在线购买RN2301
型号: RN2301
制造商: Toshiba 东芝
描述:RN2301 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 30 0.1W/100mW SOT-323/SC-70 标记YA 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

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