RM 1C

RM 1C概述

DIODE GEN PURP 1kV 800mA 0505

Diode Standard 1000 V 800mA Through Hole Axial


得捷:
DIODE GEN PURP 1KV 800MA AXIAL


艾睿:
Diode Si 1KV 0.8A 2-Pin


Verical:
Diode Si 1KV 0.8A 2-Pin


RM 1C中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.2V @1A

正向电流 800 mA

正向电压Max 1.2V @1A

正向电流Max 0.8 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 0505

外形尺寸

封装 0505

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买RM 1C
型号: RM 1C
制造商: Sanken Electric 三垦电气
描述:DIODE GEN PURP 1kV 800mA 0505

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