RYC002N05T316

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RYC002N05T316概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 1.6 ohm, 4.5 V, 800 mV

N-Channel 50V 200mA Ta 350mW Tc Surface Mount SST3


欧时:
0.9V Drive MOSFET N-Ch 50V 200mA SOT-23


得捷:
MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3


立创商城:
RYC002N05T316


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SST T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SST T/R


Win Source:
0.9V DRIVE NCH SILICON MOSFET


RYC002N05T316中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.6 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 0.2 W

阈值电压 800 mV

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 0.2A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 26pF @10VVds

下降时间 43 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350mW Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

RYC002N05T316引脚图与封装图
RYC002N05T316引脚图
RYC002N05T316封装图
RYC002N05T316封装焊盘图
在线购买RYC002N05T316
型号: RYC002N05T316
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 1.6 ohm, 4.5 V, 800 mV
替代型号RYC002N05T316
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RYC002N05T316

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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