晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 1.6 ohm, 4.5 V, 800 mV
N-Channel 50V 200mA Ta 350mW Tc Surface Mount SST3
欧时:
0.9V Drive MOSFET N-Ch 50V 200mA SOT-23
得捷:
MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
立创商城:
RYC002N05T316
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
Win Source:
0.9V DRIVE NCH SILICON MOSFET
针脚数 3
漏源极电阻 1.6 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 0.2 W
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 50 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 26pF @10VVds
下降时间 43 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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RYC002N05T316 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
BSS138LT1G 安森美 | 功能相似 | RYC002N05T316和BSS138LT1G的区别 |
BSS138LT3G 安森美 | 功能相似 | RYC002N05T316和BSS138LT3G的区别 |