RN1405,LF

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RN1405,LF概述

Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59; R1:2.2kΩ

晶体管 - 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW 表面贴装型 S-Mini


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 2.2kohm


艾睿:
Silicon NPN Epitaxial Type


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini


TME:
Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59; R1:2.2kΩ


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI


RN1405,LF中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

RN1405,LF引脚图与封装图
RN1405,LF引脚图
RN1405,LF封装图
RN1405,LF封装焊盘图
在线购买RN1405,LF
型号: RN1405,LF
制造商: Toshiba 东芝
描述:Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59; R1:2.2kΩ

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