ROHM R6007KNJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 5 V 新
N-Channel 600V 7A Tc 78W Tc Surface Mount LPTS
得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
贸泽:
MOSFET Nch 600V 7A Si MOSFET
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin2+Tab LPTS T/R
Newark:
# ROHM R6007KNJTL MOSFET, N-CH, 600V, 7A, TO-263 New
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7A LPTS / N-Channel 600 V 7A Tc 78W Tc Surface Mount LPTS
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.57 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 78 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 470pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 78W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
R6007KNJTL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
SPB07N60C3 英飞凌 | 功能相似 | R6007KNJTL和SPB07N60C3的区别 |
SPB07N60C3ATMA1 英飞凌 | 功能相似 | R6007KNJTL和SPB07N60C3ATMA1的区别 |