R6020KNX概述
ROHM R6020KNX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 5 V 新
N-Channel 600V 20A Tc 68W Tc Through Hole TO-220FM
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MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
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R6020KNX中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.17 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 68 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1550pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 68W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
最小包装 1000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
R6020KNX引脚图与封装图 
在线购买R6020KNX
型号： R6020KNX
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：ROHM R6020KNX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 5 V 新