R6024KNZC8中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 74 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 2000pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 74W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
R6024KNZC8引脚图与封装图 
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型号： R6024KNZC8
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：ROHM R6024KNZC8 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V 新